华体会体育app官网:华林科纳-半导体工艺 从硅晶片上去除轮廓污染物以鼓动EUV光学表征

发布时间:2022-10-02 08:49:56|来源:华体会体育app官方下载| 作者:hth华体会手机app 分类:新闻中心

  原题目:《华林科纳-半导体工艺》 从硅晶片上去除表观污染物以鼓吹EUV光学表征

  绝顶紫表线(EUV)变得越来越紧张。首要操纵包含基于轨道空间的天文学和集成电道筹划机芯片的光刻。进一步开垦高效反射镜的一个首要阻止是正在电磁波谱的这个区域缺乏各类质料的牢靠光学常数。光学常数不牢靠的一个理由是当显现正在尝试室气氛中时,样品表观通常被表来物质污染,特别是有机化合物。评估了几种明净本领,可剥离固体光学明净剂(opti clean)氧等离子体蚀刻高能紫表光/臭氧可剥离涂层,随后是氧等离子体蚀刻,可剥离涂层,随后是高强度紫表光,显现于冷加压二氧化碳(CO2雪)。基于有用性、明净功夫和易用性对这些经过举办了尝试对比。DADMAC(聚二烯丙基二甲基氯化铵)正在硅片上造成一层已知的平均厚度,被用作有机污染物的“替人”。有用性是遵照表观的明清水平来判另表。椭偏仪用于确定表观层的厚度。XPS (X射线光电子光谱复造)用于寻找微量污染物,更加是DADMAC中的碳。咱们发掘可剥离的明净涂层会留下残留物。氧等离子体迅速去除污染物,但会迅速氧化硅表观。显现正在紫表线/臭氧下五分钟,表观就会变得整洁,简直没有分表的氧化。氧等离子体或紫表光有用地去除可剥离涂层残留物。正在一个案例中,显现正在冷的加压二氧化碳中低落了氧化物程度。明净裸硅片的保举步伐是涂覆可剥离涂层,然后显现于高强度紫表线年代末此后,BYU·XUV幼组连续正在钻研EUV (10-100 nm)中金属的光学性子。正在铀化合物的钻研中,所做的职责最为紧张和通盘。咱们通过阐明浸积正在其上的薄膜来钻研这些质料各类衬底:硅测试晶片、石英载玻片、TEM网格等。咱们的勤苦聚会正在通过丈量薄膜的差别角度和波长来表征EUV中质料的光学常数。

  当用这样幼波长的光职责时会闪现贫穷。必需保留高真空,不然光会被气氛摄取。因为这些和其他要素,EUV中很多质料的光学常数并不为人所知。

  咱们的钻研条件咱们对薄膜有一个确切的因素。气载碳氢化合物正在薄膜表观上的累积是举办正确丈量的一个挑衅。当薄膜显现正在大气中时,有机质料的天然积蓄根基上造成了一个附加层。假使不去除这一层,它的效应将会被失误地以为是铀酿成的,从而引入一个巨大失误。另表,如图1所示,反射率跟着碳氢化合物污染物厚度的增长而低落。

  咱们的重心是反省他们的核心EUV光学和纳米创修洗濯操纵。这些操纵中所行使的质料及其行使格式与轨范工业操纵有很大差别,所以必要对这些本领的特点举办钻研。该数据显示了有机污染物的无益影响和迅速积蓄。本文重心先容了五种脱烃洗濯格式。对这些步伐的简捷性、有用性、调治接续功夫和对胶片的安宁性举办评估。为了找到碳氢化合物污染题目标办理计划,咱们钻研了五种污染物明净格式。

  第一种明净格式包含将Opticlean(一种工业光学除尘器)操纵于硅片样品。Opticlean固化后,将其剥离。剥离层带走的表观上的污染物颗粒越大。正在第二种格式中,等离子体蚀刻编造行使氧等离子体来去除碳氢化合物的聚集。第三种格式是正在洗濯站将硅片样品显现正在来自商用紫表灯的强紫表光下。高能紫表光和臭氧突破了很多碳氢化合物键,造成较幼的分子,然后蒸发。第四,样品开始用Opticlean洗濯,然后显现于氧等离子体蚀刻。结尾,第五种格式将Opticlean与随后的紫表线灯照耀连结起来。本文从为EUV和软x射线丈量打定表观的角度,报道了通过尝试确定的每种格式的有用性、明净功夫和易明净性。

  提出了两个题目来确定所斟酌的明净格式是否是有用的明净格式。第一,洗濯经过有没有毁伤薄膜表观?第二,油气层被排除了吗?

  关于一切五种格式,光谱椭偏仪用于丈量洗濯前后污染物层表观厚度的改变。正在洗濯之前和之后,丈量被污染的测试晶片。层厚度通过光谱椭偏术用J.A. Woollam有限公司的多波长椭偏仪(型号M1000,拥有从1.24到1.25的UV优化包6.5 eV)。用椭偏仪的VASE软件将这些层模仿为硅衬底上的二氧化硅层。洗濯后,咱们以同样的格式从头丈量和模仿咱们的样品。咱们对洗濯前后的晶片行使了好像的模子,由于二氧化硅上格表薄的自便碳氢化合物污染物层( 5 nm)无法与简单的二氧化硅划分裂。最纯洁的模子假设碳氢化合物层污染物仅仅是分表的氧化硅。厚度衡量迫近一比一。正在导言中先容的污染钻研中行使了同样的格式。正在显现于污染经过之前和之后举办椭偏丈量,并如上所述修模。

  洗濯。